Micron hovoří o přestávce s intel ohledně nand

Micron hovořil o příčině rozpadu se společností Intel ohledně spolupráce při vývoji paměti NAND. Loni v lednu Intel a Micron oznámily, že jejich unie ve vývoji paměti NAND se chýlí ke konci a obě společnosti plánují pokračovat v nezávislém vývoji své technologie NAND.

Micron vsadí na technologii Charge-Trap a vyrobí své NAND čipy

Důvod tohoto rozpadu byl dosud neznámý, ačkoli vše naznačovalo, že Intel a Micron chtěli vzít svou technologii NAND samostatnými směry. Společnosti Micron a Intel používají technologii Floating Gate NAND, což je výrobní technologie , kterou propagují jako vynikající model Charge-Trap, který používají téměř všichni výrobci, jako jsou Samsung, SK Hynix, Western Digital a Toshiba. Při pohledu na čtvrtou generaci se společnost Micron chystá přepnout na Charge-Trap a Intel tak zůstal jediným zastáncem technologie Floating Gate.

Doporučujeme přečíst si náš příspěvek na nejlepších SSD momentech SATA, M.2 NVMe a PCIe (2018)

Až dosud byl Micron skeptický ohledně životnosti NAND 3D Charg-Trap paměti, spekuloval, že data mohou být ztracena po šesti měsících bez napájení. Micron tedy nevěřil, že NAND vyvinutý s Charge-Trap je použitelný jako dlouhodobé energeticky nezávislé médium. V současné době většina výrobců používá Charge-Trap bez známek problémů se ztrátou dat, proto se společnost Micron rozhodla přijmout tuto technologii, kterou dosud odmítla.

Navzdory tomuto rozpadu obě společnosti nadále spolupracují na vývoji paměti XPoint, s plány pokračovat ve vývoji technologie jako energeticky nezávislého paměťového média a jako alternativa k DRAM ve vybraných aplikacích.

Overclock3d písmo