Samsung oznamuje proces 3nm mbcfet, 5nm dorazí v roce 2020

Na trhu mobilních SoC se TSMC rychle pohybuje, pokud jde o zavádění nových uzlů výrobních procesů. Korejský technologický gigant Samsung dnes oznámil plány pro řadu procesních uzlů. Patří mezi ně 5nm FinFET a 3nm GAAFET varianta, kterou Samsung zaregistroval jako MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).

Společnost Samsung oznamuje proces 3nm MBCFET

Společnost dnes na fóru Samsung Foundry Forum v Santa Claře oznámila plány na další proces výroby polovodičů nové generace. Velké oznámení je pro vývoj Samsung 3nm GAA, dabovaný 3GAE společností. Společnost Samsung potvrdila, že minulý měsíc vydala návrhové sady pro uzel.

Samsung spolupracoval s IBM na procesních uzlech GAAFET (Gate-All-Around), ale dnes společnost oznámila své přizpůsobení předchozímu procesu. Tomu se říká MBCFET a podle společnosti to umožňuje vyšší proud na baterii nahrazením nanowire Gate All Around nanoscale. Výměna zvětšuje oblast řidiče a umožňuje přidání dalších dveří bez zvětšení boční stopy. Velmi technická data, ale s výsledkem, který by měl výrazně zlepšit vývoj FinFET.

Očekává se, že návrh výrobku pro proces Samsung FinnET 5nm, který byl vyvinut v dubnu, bude dokončen ve druhé polovině tohoto roku a uveden do sériové výroby v první polovině roku 2020.

V druhé polovině letošního roku plánuje společnost Samsung zahájit sériovou výrobu 6nm procesních zařízení a dokončit vývoj 4nm procesu. Očekává se, že návrh výrobku pro proces Samsung FinnET 5nm, který byl vyvinut v dubnu, bude dokončen ve druhé polovině tohoto roku a uveden do sériové výroby v první polovině roku 2020.

Písmo Wccftechguru3d