Společnost Samsung zahájila hromadnou výrobu své páté generace paměti vnand

Společnost Samsung Electronics, světový lídr v oblasti pokročilých paměťových technologií, dnes oznámila zahájení hromadné výroby svých nových paměťových čipů páté generace VNAND, které nabízejí dnes nejrychlejší rychlost přenosu dat.

Pátá generace Samsung VNAND je již sériově vyráběna

Tyto nové páté generace paměťových čipů VNAND od společnosti Samsung jsou založeny na technologii rozhraní DDR 4.0, která umožňuje rychlost přenosu dat na 1, 4 gigabitů za sekundu, což je 40% nárůst oproti její technologii. čtvrtá generace 64 vrstev. Tato pátá generace VNAND od společnosti Samsung hromadí ne méně než 90 vrstev paměti v pyramidové struktuře s vertikálně vyvrtanými otvory mikroskopického kanálu. Tyto malé díry kanálu, které jsou široké jen několik set nanometrů (nm), obsahují více než 85 miliard CTF buněk, z nichž každý může uložit tři bity dat.

Doporučujeme si přečíst náš příspěvek. Je potvrzeno, že cena paměti NAND bude i nadále klesat

Energetická účinnost nové Samsung VNAND páté generace zůstává srovnatelná s 64-vrstvovým čipem díky snížení provozního napětí z 1, 8 voltu na 1, 2 voltu. Tato nová paměťová technologie také nabízí dosud nejrychlejší rychlost zápisu dat, 500 mikrosekund, což je o 30 procent zlepšení oproti rychlosti zápisu předchozí generace. Doba odezvy na čtení signálů byla naopak významně zkrácena až na 50 mikrosekund.

Společnost Samsung rychle zrychlí hromadnou výrobu své páté generace VNANDů, aby uspokojila širokou škálu potřeb trhu, protože nadále vede pohyb paměti s vysokou hustotou v kritických odvětvích, jako jsou superpočítače, obchodní servery a nejnovější mobilní aplikace.

Techpowerup písmo