Uk iii-v paměť, paměť č

Vědci z Lancaster University ve Velké Británii byli úspěšní ve svém úsilí vytvořit typ energeticky nezávislé paměti flash, která je stejně rychlá jako DRAM, ale využívá pouze 1% energie, kterou moderní paměť NAND nebo DRAM potřebuje. psát datové bity. Paměť se nazývá UK III-V Memory.

UK III-V Memory, energeticky nezávislá paměť tak rychle, jak DRAM spotřebovává 100krát méně

Požadovaná spotřeba energie je přibližně 10 až 17 joulů u dveří postavených v 20nm litografickém procesu. Tranzistory s pamětí UK III-V budou mít obvykle vypnutý stav a hradební poplatek by zabral asi 5ns, přičemž vyprázdnění by trvalo 3ns, obě čísla jsou velmi slušná. Tato čísla budou pravděpodobně po přidání ovladače poněkud vyšší, ale to by stálo za to kompenzaci za získanou účinnost.

Vývoj je stále v jednoduché tranzistorové fázi, takže jeho převedení na plně komerční produkt je stále daleko. Dosažení budování stálé paměti, která je efektivní a dostatečně rychlá, aby mohla konkurovat DRAM, je však docela úspěchem.

Zajištění nepřetržité paměti tak rychle jako DRAM je zajímavé, protože může být použito k vytváření počítačů, které mohou uchovávat data, která aktuálně ukládáme v paměti RAM, když je systém zcela vypnutý, a lze je tedy obnovit v okamžiku, odkud byl ponechán z úplného vypnutí. To by eliminovalo potřebu spánkových stavů a ​​také by umožnilo systémům vypnout RAM při nečinnosti, což dále sníží spotřebu energie.

Navštivte našeho průvodce o nejlepší paměti RAM na trhu

Otázkou je, zda UK III-V paměť zvládne opakované přepisy, které DRAM obvykle podstoupí. Pokud je opotřebení problém, mohlo by to zničit jakýkoli sen o počítači s energeticky nezávislou pamětí RAM.

Tomshardware písmo