Sk hynix oznamuje svou novou 8GB běh ddr4 paměti vytvořenou v 1ynm

Paměťový gigant SK Hynix oznámil vývoj své 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM paměti, což znamená, že ji lze vyrobit pomocí 14nm a 16nm litografie. Nový čip nabízí 20% zlepšení produktivity ve srovnání s předchozí generací 1Xnm protějšek a také více než 15% zlepšení spotřeby energie.

Nová SK Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 RAM

Nový SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM podporuje rychlost přenosu dat až 3 200 Mbps, což podle společnosti představuje nejrychlejší rychlost zpracování dat na rozhraní DDR4. SK Hynix přijal schéma „4-fázového časování“, které duplikuje hodinový signál pro zvýšení rychlosti a stability přenosu dat.

Doporučujeme přečíst si článek o paměti RAM s chladičem nebo bez chladiče

SK Hynix také představila vlastní technologii „ Sense Amp Control “ vyvinutou pro snížení spotřeby energie a chyb v datech. Díky této technologii byla společnost schopna zlepšit výkon senzorického zesilovače. SK Hynix vylepšil strukturu tranzistoru, aby snížil možnost chyb dat, což je výzva, která doprovází redukci technologie. Společnost také do obvodu přidala nízkoenergetický napájecí zdroj, aby se zabránilo zbytečné spotřebě energie.

Tato 1Gn a 8Gb DDR4 DRAM má optimální výkon a hustotu pro zákazníky společnosti, podle slov viceprezidenta SK Hynixe Sean Kim. SK Hynix plánuje zahájit dodávku od prvního čtvrtletí příštího roku, aby aktivně reagovala na tržní poptávku. SK Hynix plánuje nabídnout svůj technologický proces 1Ynm pro servery a PC a poté i pro další aplikace, jako jsou mobilní zařízení.

Guru3d písmo