Sk hynix vyvíjí paměť 1drm 16 gb (gigabit) ddr4

Obsah:
SK hynix oznámila, že vyvinula novou paměť 1DRn 16Gb (Gigabits) DDR4. 1Znm nabídne nejvyšší hustotu a celkovou kapacitu na destičku pro stávající moduly DDR4 DRAM.
SK hynix vyvíjí paměť 1DRn 16Gb DDR4 (gigabity)
Společnost prohlašuje, že produktivita nových paměťových modulů 1Znm se oproti předchozí generaci 1Ynm linky zvýšila přibližně o 27%. Výrobní proces však nevyžaduje nákladné extrémní ultrafialové lithium (EUV), díky čemuž je výroba 1Znm výnosnější než kdykoli předtím.
Paměť SK hynix 1Znm podporuje rychlost přenosu dat až 3200 Mb / s, což je nejrychlejší rychlost zpracování dat rozhraní DDR4. Nové paměťové moduly 1Znm zvýšily energetickou účinnost, a tak úspěšně snížily spotřebu energie přibližně o 40% ve srovnání s moduly se stejnou hustotou jako předchozí 1YNnm 8Gb DRAM.
Ve výrobním procesu byla použita nová látka, která nebyla použita v předchozí generaci, což maximalizuje kapacitu produktu 1Znm. Kapacitance je množství elektrického náboje, které může kondenzátor uložit, což je klíčový prvek v provozu DRAM. Do procesu byl také zaveden nový design pro zvýšení provozní stability.
Navštivte našeho průvodce o nejlepší paměti RAM na trhu
SK hynix plánuje rozšíření technologického procesu 1Znm na řadu aplikací, včetně nové generace přenosných LPDDR5 DRAM a HBM3, které budou v budoucnu nejrychlejší DRAM.
Techpowerupkitguru písmoSpolečnost Toshiba vyvíjí první 4bitovou nand qlc paměť na buňku

Společnost Toshiba dnes oznámila svou novou paměťovou technologii NAND QLC s vyšší hustotou úložiště, než jakou nabízí TLC.
Western digital vyvíjí flash paměť, aby konkurovala optane

Nová paměť společnosti Western Digital se má někde hodit mezi 3D NAND a konvenční DRAM
Uk iii-v paměť, paměť č

UK III-V Memory je energeticky nezávislá paměť, která dosahuje rychlosti DRAM, ale spotřebovává mnohem méně energie.